SiCrystal, società del gruppo Rohm, e STMicroelectronics hanno firmato un accordo pluriennale per la fornitura di fette in carburo di silicio che accrescerà la flessibilità industriale e sosterrà l’espansione commerciale di prodotti SiC in applicazioni per il mercato automotive e industriale.
L’accordo prevede la fornitura di oltre 120 milioni di dollari di sofisticati substrati da 150 mm in carburo di silicio da parte di SiCrystal a ST in questo periodo di ramp-up della domanda di dispositivi di potenza in carburo di silicio.
L’adozione di soluzioni di potenza basate su SiC sta accelerando sia nel mercato automotive, sia in quello industriale. Con questo accordo, le due aziende contribuiranno a diffondere l’uso del SiC in entrambi i mercati.
Nuove capacità per soddisfare i bisogni dei clienti
“Questo nuovo accordo a lungo termine per la fornitura di substrati in SiC va ad aggiungersi alla capacità esterna che ci siamo già assicurati e a quella interna che stiamo sviluppando. Permetterà a ST di aumentare il volume e l’equilibrio della fornitura delle fette di cui avremo bisogno per soddisfare la forte accelerazione della domanda da parte di clienti con programmi nell’automotive e nel settore industriale nei prossimi anni”, ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & Ceo di ST.
Il SiC è un semiconduttore le cui proprietà chimico/fisiche lo rendono ideale in applicazioni per ricoprimenti indurenti e protettivi, in optoelettronica e sensoristica. Può essere considerato l’alternativa più promettente al Silicio per l’elettronica ad alta potenza/alta frequenza ed operante in condizioni proibitive (fonte: CNR).
