Le aziende produttrici nei settori automotive e dell’Internet delle cose stanno facendo ricorso in misura sempre maggiore alle memorie flash a NAND con celle a livello singolo (SLC) di prestazioni elevate come alternativa economica, con densità da 512 Mbits ed oltre, alle memorie flash NOR di tipo tradizionale, utilizzate per la memorizzazione dei codici. In questo ambito, negli ultimi prodotti QspiNAND, Winbond Electronics Corporation ha introdotto una funzione di lettura ad alta velocità più flessibile.
Grazie a questa innovazione, i dispositivi flash QspiNAND W25NxxxJW raggiungono la stessa velocità massima di trasferimento dati di 52 MB/s a 104 MHz raggiunta in modalità di lettura continua, ma con in più la possibilità di configurare il funzionamento dei chip.
“Consentendo un funzionamento a velocità elevata grazie alla funzione di lettura continua, Winbond aveva già reso le memorie flash QspiNAND una soluzione praticabile per l’utilizzo in applicazioni di memorizzazione dei codici, compresi il mascheramento e l’esecuzione sul posto dei codici”, ha dichiarato Syed S. Hussain, Director Segment Marketing di Winbond Electronics America Flash Business Group. “Con l’introduzione della lettura sequenziale gli utenti possono beneficiare della stessa elevata velocità di lettura fino a 52 MB/s e al tempo stesso utilizzare l’engine ECC e l’organizzazione dell’accesso ai dati che preferiscono”.
Le caratteristiche delle memorie QspiNAND
- Libertà di utilizzare l’engine ECC dell’utente. In modalità di lettura continua i dispositivi Winbond W25N supportano solo il loro engine ECC a 1 bit su chip. In modalità di lettura sequenziale gli utenti possono invece utilizzare qualsiasi tipo di correzione d’errore a 4 o a 8 bit in abbinamento ad un engine RCC esterno.
- Accesso a tutto l’array di memoria – l’area principale e quella di riserva – con un unico comando Read. Si tratta della soluzione ideale per le applicazioni di mascheramento del codice in cui una bassa latenza e un tempo di avvio rapido sono particolarmente importanti.
- Maggiore flessibilità per configurare la disposizione dei dati in base all’applicazione dell’utente.
Disponibilità dei nuovi prodotti
I nuovi prodotti flash QspiNAND 1.8V sono disponibili con densità di 512 Mb, 1 Gb e 2 Gb. Le versioni 3.0V sono disponibili con densità di 2 Gb e 4 Gb. Tutte le versioni vengono prodotte a Taiwan, nello stabilimento di produzione dei wafer da 12” dell’azienda a Taichung. Winbond sta aumentando la capacità di produzione per far fronte alla nuova domanda prevista nei segmenti di mercato dell’automotive e dell’IoT.
I nuovi dispositivi flash QspiNAND W25N sono commercializzati in package compatti a 8 pin, un formato che consente di risparmiare spazi, che non era possibile realizzare per le memorie flash SLC-NAND prima che Winbond sviluppasse un’efficace interfaccia flash QspiNAND. Le velocità di clock di 104 MHz consentono di raggiungere l’equivalente della velocità di 416 MHz (104 MHz x 4) per prestazioni Quad I/O quando si utilizzano le istruzioni di I/O di Fast Read Dual/Quad. Per consentire una migliore maneggiabilità delle memorie flash NAND, i dispositivi eseguono la gestione on-chip dei blocchi danneggiati.
