Rohm e STMicroelectronics hanno annunciato l’espansione dell’attuale multi accordo di fornitura di wafer di substrato in carburo di silicio, della durata di un anno, da 150 mm con SiCrystal, una società del gruppo Rohm. Il nuovo accordo pluriennale regola la fornitura di maggiori volumi di wafer di substrato SiC prodotti a Norimberga, in Germania, per un valore minimo previsto di 230 milioni di dollari.
I semiconduttori di potenza SiC ad alta efficienza energetica consentono l’elettrificazione nei settori automobilistico e industriale in modo più sostenibile. Facilitando una generazione, una distribuzione e uno stoccaggio di energia più efficienti, il SiC supporta la transizione verso soluzioni di mobilità più pulite, processi industriali a basse emissioni e un futuro energetico più verde, nonché alimentatori più affidabili per infrastrutture ad alta intensità di risorse come i data center dedicati alle applicazioni di intelligenza artificiale.
Geoff West, EVP e Chief Procurement Officer di STMicroelectronics, ha commentato: “Questo accordo ampliato con SiCrystal porterà ulteriori volumi di wafer di substrato SiC da 150 mm per supportare l’aumento della capacità di produzione dei nostri dispositivi per i clienti automobilistici e industriali in tutto il mondo. Aiuta a rafforzare la resilienza della nostra catena di fornitura per la crescita futura, con un mix equilibrato di fornitura interna e commerciale in tutte le regioni”.
Robert Eckstein, Presidente e Ceo di SiCrystal, ha aggiunto: “SiCrystal produce wafer di substrato SiC da molti anni. Siamo molto lieti di estendere questo accordo di fornitura con il nostro cliente di lunga data ST. Continueremo a supportare il nostro partner nell’espansione del business SiC aumentando continuamente le quantità di wafer di substrato SiC da 150 mm e fornendo sempre una qualità affidabile”.
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