Nexperia: un investimento da 200 milioni di dollari ad Amburgo

Achim Kempe, COO e amministratore delegato di Nexperia Germany: "Questo investimento rafforza la nostra posizione di fornitore leader di semiconduttori ad alta efficienza energetica e ci consente di utilizzare l'energia elettrica disponibile in modo più responsabile"

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Il produttore di semiconduttori Nexperia ha annunciato nelle scorse settimane l’intenzione di investire 200 milioni di dollari (circa 184 milioni di euro) per sviluppare la prossima generazione di semiconduttori a banda larga (WBG), come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN), e stabilire un’infrastruttura di produzione nel sito di Amburgo. Allo stesso tempo, verrà aumentata la capacità di produzione di wafer per diodi e transistor al silicio (Si).

L’investimento rappresenta un’altra pietra miliare nella storia centenaria del sito produttivo di Nexperia ad Amburgo-Lokstedt. Dalla fondazione di Valvo Radioröhrenfabrik nel 1924, il sito si è sviluppato continuamente e oggi soddisfa circa un quarto della domanda globale di diodi e transistor per piccoli segnali. Dalla scissione da NXP nel 2017, Nexperia ha investito ingenti somme nella sede di Amburgo, aumentato i dipendenti da 950 a circa 1.600 e portato l’infrastruttura tecnologica allo stato dell’arte. Queste spese continue sottolineano l’impegno dell’azienda a rimanere all’avanguardia nel settore e a fornire soluzioni innovative ai propri clienti in tutto il mondo.

“Questo investimento rafforza la nostra posizione di fornitore leader di semiconduttori ad alta efficienza energetica e ci consente di utilizzare l’energia elettrica disponibile in modo più responsabile”, commenta Achim Kempe, COO e amministratore delegato di Nexperia Germany. “In futuro, il nostro stabilimento di Amburgo coprirà la gamma completa di semiconduttori WBG pur rimanendo la più grande fabbrica di diodi e transistor per piccoli segnali. Rimaniamo impegnati nella nostra strategia di produzione di semiconduttori di alta qualità per applicazioni standard e ad alta intensità energetica, affrontando al tempo stesso una delle più grandi sfide della nostra generazione: soddisfare la crescente domanda di energia e ridurre l’impatto ambientale”.

Le prime linee di produzione per transistor GaN D-Mode e diodi SiC ad alta tensione sono state avviate nel giugno 2024. La prossima pietra miliare saranno le linee di produzione moderne ed economiche da 200 mm per MOSFET SiC e HEMT GaN, che verranno installate nello stabilimento di Amburgo nei prossimi due anni. Allo stesso tempo, l’investimento contribuirà ad automatizzare ulteriormente l’infrastruttura esistente presso il sito tedesco e ad espandere la capacità di produzione di silicio mediante la conversione sistematica a wafer da 200 mm. In seguito all’ampliamento delle aree dedicate alle camere bianche, verranno costruiti nuovi laboratori di ricerca e sviluppo per continuare a garantire anche in futuro una transizione senza soluzione di continuità dalla ricerca alla produzione.

Attenzione all’indotto

Oltre a far avanzare la tecnologia, il fornitore di semiconduttori si aspetta che l’iniziativa stimoli lo sviluppo economico locale. Gli investimenti apportano un contributo importante  alla creazione di posti di lavoro e al rafforzamento dell’autosufficienza dell’Unione europea nel settore dei semiconduttori. Nexperia fa già affidamento su un solido ecosistema di ricerca e sviluppo ad Amburgo e in tutta Europa. Partenariati e cooperazioni di sviluppo, ad esempio nel campo della tecnologia GaN nell’ambito del Programma di affiliazione industriale (IIAP) del centro di ricerca sulla nanoelettronica imec, svolgono un ruolo cruciale. Queste e altre collaborazioni garantiscono innovazione continua ed eccellenza tecnologica nei prodotti Nexperia.

“L’investimento pianificato ci consente di portare la progettazione e la produzione dei chip WBG ad Amburgo. Tuttavia, SiC e GaN non sono affatto un territorio nuovo per Nexperia. I FET GaN fanno parte del nostro portafoglio dal 2019 e nel 2023 abbiamo ampliato la nostra gamma di prodotti per includere diodi SiC e MOSFET SiC, quest’ultimo in collaborazione con Mitsubishi Electric Nexperia è uno dei pochi fornitori a offrire una gamma completa di tecnologie di semiconduttori, tra cui Si, SiC e GaN sia in modalità e che in modalità d Ciò significa che offriamo ai nostri clienti uno sportello unico per tutte le loro esigenze relative ai semiconduttori”, spiega Stefan Tilger, CFO e amministratore delegato di Nexperia Germany.


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