STMicroelectronics presenta la terza generazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) STPOWER, che innova ulteriormente i dispositivi di potenza per il gruppo propulsore dei veicoli elettrici (EV) e altre applicazioni in cui la densità di potenza, l’efficienza energetica e l’affidabilità sono criteri fondamentali.
ST ha incorporato un nuovo e avanzato know-how di progettazione per sfruttare maggiormente il potenziale di risparmio energetico del SiC, dando ulteriore impulso alla trasformazione dei mercati dei veicoli elettrici e delle applicazioni industriali. Con l’accelerazione del mercato degli EV, molte case automobilistiche e fornitori del settore automotive stanno adottando sistemi di azionamento a 800 V per velocizzare sensibilmente le operazioni di ricarica e ridurre il peso dei veicoli. Questi nuovi sistemi consentono alle case automobilistiche di produrre veicoli con una maggiore autonomia di marcia.
I nuovi dispositivi SiC di ST sono ottimizzati in modo specifico per queste applicazioni automotive di fascia alta, che includono inverter di trazione per EV, caricabatterie di bordo e convertitori DC/DC, oltre a compressori per climatizzatori elettrici. La nuova generazione è adatta anche alle applicazioni industriali, in quanto aumenta considerevolmente l’efficienza degli azionamenti dei motori industriali, dei convertitori di energia rinnovabile e sistemi di accumulo, così come dei gruppi di alimentazione per telecomunicazioni e data center.
“Continuiamo a guidare lo sviluppo di questa tecnologia cosi promettente con innovazioni sia a livello di dispositivo sia di package. In qualità di fornitori di prodotti SiC, siamo in grado di offrire ai nostri clienti prestazioni sempre migliori”, ha detto Edoardo Merli, direttore generale della macro-divisione Power Transistor e Group Vice President del Gruppo Automotive and Discrete di STMicroelectronics. “Stiamo investendo incessantemente a supporto dei nostri programmi per i settori automotive e industriale, che nel 2024 dovrebbero generare ricavi per 1 miliardo di dollari nel SiC”.
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