STMicroelectronics ha annunciato oggi di avere firmato un accordo per acquisire la partecipazione di maggioranza in Exagan, azienda francese innovatrice nel nitruro di gallio.
Le competenze di Exagan nell’epitassia, nello sviluppo di prodotti e nel know-how applicativo amplieranno e accelereranno la roadmap e le attività di ST nelle applicazioni di potenza basate su GaN per l’Automotive, l’Industrial e l’Elettronica di consumo. Exagan proseguirà nell’esecuzione della sua roadmap di prodotto e sarà supportata da ST nello sviluppo dei suoi prodotti.
I termini della transazione non sono stati resi noti e il closing dell’acquisizione rimane soggetto alle consuete approvazioni normative delle autorità francesi. L’accordo siglato prevede anche l’acquisizione della restante quota di minoranza in Exagan da parte di ST 24 mesi dopo il closing dell’acquisizione della partecipazione di maggioranza. La transazione sarà finanziata con liquidità disponibile.
Nitruro di gallio, un materiale molto promettente
“ST ha dato forte impulso al carburo di silicio e si sta adesso espandendo in un altro materiale composto molto promettente, il nitruro di gallio, per guidare l’adozione di prodotti di potenza basati su GaN presso clienti dei mercati Automotive, Industrial ed Elettronica di consumo” ha detto Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics. “L’acquisizione di una partecipazione di maggioranza in Exagan rappresenta un ulteriore passo avanti per rafforzare la nostra leadership tecnologica globale nei semiconduttori di potenza, nonché le attività, l’ecosistema e la roadmap a lungo termine della nostra azienda nel GaN. Questa operazione si aggiunge agli sviluppi già in corso con CEA-Leti a Tours in Francia, e alla collaborazione annunciata recentemente con TSMC.”
Il nitruro di gallio (GaN) appartiene alla famiglia di materiali ad ampia banda di energia (WBG) che include il carburo di silicio. I dispositivi basati sul GaN rappresentano un importante passo in avanti nell’elettronica di potenza in quanto consentono il funzionamento a più alta frequenza, con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza rispetto ai transistori basati su silicio, rendendo possibili minori consumi e dimensioni di sistema più compatte. I prodotti GaN potranno essere usati in un ampio spettro di applicazioni, come la correzione del fattore di potenza (PFC) e i convertitori DC-DC nei server, impianti di telecomunicazione e applicazioni industriali, i caricatori di bordo per veicoli elettrici e i convertitori DC-DC per applicazioni automotive, ma anche svariate applicazioni di elettronica personale come gli adattatori di alimentazione.
Fondata nel 2014 con sede centrale a Grenoble (Francia), Exagan si dedica ad accelerare la transizione del settore dell’elettronica di potenza dalle tecnologie basate sul silicio alla tecnologia GaN-on-Silicon, rendendo possibile la realizzazione di convertitori elettrici più compatti e più efficienti. I suoi interruttori di potenza GaN sono progettati per essere fabbricati negli impianti standard di lavorazione di fette da 200 mm.
