Cambridge GaN Devices (CGD), azienda di semiconduttori nata nel 2016 presso il Dipartimento di ingegneria dell’Università di Cambridge, ha raccolto 19 milioni di dollari in finanziamenti. L’investimento è stato guidato da Parkwalk Advisors e BGF, con la partecipazione di IQ Capital, CIC, Foresight Williams Technology e Martlet Capital. L’investimento consentirà a CGD di iniziare la produzione di massa della sua gamma di transistor GaN per applicazioni di potenza.
Giorgia Longobardi, Co-fondatrice e Ceo dell’azienda, ha commentato: “Mentre ci muoviamo verso una società a zero emissioni di carbonio con livelli di elettrificazione in rapido aumento, abbiamo bisogno di fonti di elettricità pulite e rinnovabili e di metodi di conversione più efficienti. La tecnologia GaN fornisce la soluzione di conversione ottimale, riducendo le perdite di potenza di oltre il 50% e aumentando l’efficienza di conversione dell’energia fino a oltre il 99%. Per fare solo un esempio applicativo, se tutti i data center dovessero adottare il GaN, ciò consentirebbe di risparmiare 12,4 TWh di elettricità all’anno, ovvero 9 milioni di tonnellate di CO2, l’equivalente di togliere dalla strada 1,9 milioni di veicoli con motore a combustione interna per un anno. I nostri transistor ICeGaN™ GaN sono tra i dispositivi più efficienti nel loro genere sul mercato e sono anche i più facili da usare per i progettisti”.
CGD ha già compiuto notevoli progressi, sviluppando nuove proprietà intellettuali e introducendo sul mercato la sua nuova famiglia di transistor al nitruro di gallio ICeGaN™, che si rivolge a un mercato globale di semiconduttori di potenza da 50 miliardi di dollari. L’azienda si è guadagnata l’attenzione del mercato ed è attualmente alla guida di un progetto finanziato dall’UE da 10 milioni di dollari per lo sviluppo di moduli basati su GaN per applicazioni a bassa e alta potenza (GaNext). Sta anche partecipando a un’iniziativa della catena di fornitura del Regno Unito per i sistemi di alimentazione integrati in PCB con dispositivi GaN (P3EP) e ha recentemente lanciato un progetto per sviluppare transistor e circuiti integrati GaN altamente affidabili per ridurre le emissioni dei data center (ICeData).
“Questo ultimo ciclo di investimenti”, continua Longobardi, “è un grande riconoscimento del nostro successo fino ad oggi, con investitori nuovi ed esistenti che confermano la forza della nostra tecnologia. Dal 2016, CGD ha la missione di rendere possibile l’elettronica più verde e di plasmare il futuro dell’elettronica di potenza fornendo i transistor più efficienti e facili da usare. Siamo entusiasti di essere in grado di passare alla produzione di massa e alla fornitura globale, fornendo dispositivi in cui la nostra tecnologia unica può avere il maggiore impatto”.
Ian Lane, di CIC, aggiunge: “La commercializzazione della tecnologia di CGD arriva in un momento importante, poiché cerchiamo soluzioni abilitate dalla tecnologia per ridurre il consumo energetico tra le applicazioni, diverse come caricabatterie per telefoni e data center. Cambridge (Regno Unito) è un hub importante a livello globale per la progettazione di semiconduttori e Cambridge Gan Devices è un ottimo esempio dell’innovazione che si sviluppa nel cluster”.
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