onsemi e Ampt LLC, azienda a livello mondiale nel settore degli ottimizzatori in corrente continua (DC) per sistemi di accumulo dell’energia e fotovoltaici (PV) di grandi dimensioni, hanno annunciato un accordo di collaborazione in base al quale Ampt utilizzerà i MOSFET SiC a canale N della famiglia di dispositivi in carburo di silicio EliteSic di onsemi, per i propri ottimizzatori di stringa in DC impiegati in applicazioni di commutazione di potenza critiche.
A che cosa servono gli ottimizzatori
Gli ottimizzatori di stringa di Ampt, destinati alle centrali fotovoltaiche di grandi dimensioni, consentono di realizzare sistemi per l’accumulo dell’energia accoppiati in DC e fotovoltaici caratterizzati da prestazioni maggiori e costi inferiori che sono collocati all’interno della centrale stessa. Questi ottimizzatori forniscono la potenza proveniente dall’array fotovoltaico a una tensione fissa di valore elevato per tensioni di sistema comprese tra 600 e 1500 VDC, riducendo i requisiti di corrente complessivi e i costi della centrale. Gli ottimizzatori di Ampt garantiscono una maggiore efficienza in termini di Rte (Round-trip efficiency) – ovvero la quantità di carica ceduta dall’accumulo in fase di scarica e quella immagazzinata in fase di carica – dei sistemi di accumulo dell’energia e della centrale fotovoltaica grazie all’uso dei più recenti MOSFET SiC di onsemi, caratterizzati da valori estremamente bassi di resistenza nello stato di ON e da perdite di commutazione ridotte.
Il contributo dei componenti Onsemi
“L’integrazione dei dispositivi della famiglia EliteSiC di onsemi nei nostri ottimizzatori in DC”, ha spiegato Levent Gun, CEO di Ampt, “permette a sviluppatori e proprietari di impianti di grandi dimensioni di ottimizzare i loro progetti dal punto di vista economico. Le prestazioni dei prodotti hanno rivestito ovviamente un’importanza cruciale, ma altrettanto fondamentali sono stati l’assistenza fornita da onsemi nella fase di progettazione e la garanzia di fornitura che ci ha permesso soddisfare in modo adeguato la rapida crescita della domanda”.
RDS(on) di 80 mΩ (nominale), ridotta carica di gate (Qg), pari a 56 nC e Rg (resistenza di gate) di 1,7 Ohm sono le caratteristiche salienti dei dispositivi EliteSiC utilizzati. In grado di operare a temperature di giunzione di 175°C, questi MOSFET consentono di ridurre gli oneri legati alla gestione termica e di realizzare quindi soluzioni più piccole e di costo inferiore.
“La combinazione tra prestazioni e affidabilità che distingue la nostra tecnologia EliteSiC”, ha affermato Simon Keeton, executive vice president e general manager del Power Solutions Group di onsemi, “ha permesso di realizzare ottimizzatori in DC efficienti e affidabili, in linea con quello che si aspetta un’azienda di primo piano come Ampt. Il nostro obiettivo è continuare a collaborare allo sviluppo di nuovi prodotti per applicazioni di energie rinnovabili finalizzate a promuovere un ecosistema sempre più sostenibile”.
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