Infineon, Hunday e Kia: accordo per i semiconduttori SiC

Peter Schiefer, Infineon: “Offriamo prodotti premium di alta qualità, la nostra conoscenza dei sistemi e la comprensione delle applicazioni, combinati con continui investimenti nella capacità produttiva, per soddisfare la crescente domanda di elettronica di potenza automobilistica”.

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InfineonHyundai Motor Company e Kia Corporation hanno firmato un accordo di fornitura pluriennale per semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) e silicio (Si). Infineon costruirà e riserverà capacità produttiva per fornire SiC, moduli e chip di potenza SiC a Hyundai/Kia fino al 2030, mentre Hyundai/Kia sosterrà l’aumento e la prenotazione della capacità con contributi finanziari.

“Infineon si propone come un prezioso partner strategico, che vanta solide capacità produttive e competenze tecnologiche distinte nel mercato dei semiconduttori di potenza”, ha affermato Heung Soo Kim, Vicepresidente esecutivo e Responsabile del Global Strategy Office (GSO) di Hyundai Motor Group. “Questa partnership non solo consente a Hyundai Motor e Kia di stabilizzare la propria fornitura di semiconduttori, ma ci consente anche di consolidare la nostra leadership nel mercato globale dei veicoli elettrici”.

“L’auto del futuro sarà pulita, sicura e intelligente e i semiconduttori sono al centro di questa trasformazione. In qualità di partner di fiducia, siamo orgogliosi di portare avanti la nostra partnership a lungo termine con Hyundai/Kia”, ha affermato Peter Schiefer, Presidente della Divisione Automotive di Infineon. “Offriamo prodotti premium di alta qualità, la nostra conoscenza dei sistemi e la comprensione delle applicazioni combinati con continui investimenti nella capacità produttiva per soddisfare la crescente domanda di elettronica di potenza automobilistica”.

I semiconduttori di potenza di Infineon sono fattori chiave per la transizione verso l’elettromobilità. Questa transizione porterà a una forte crescita del mercato dei semiconduttori di potenza, in particolare quelli basati su materiali ad ampio gap di banda come il SiC. Con la significativa espansione del suo stabilimento di Kulim, Infineon costruirà il più grande impianto di potenza SiC da 200 millimetri al mondo. In linea con la strategia multisito di Infineon, lo stabilimento di Kulim integrerà l’attuale capacità produttiva di Infineon a Villach, in Austria, e ulteriori espansioni di capacità a Dresda, in Germania.


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