STMicroelectronics e Tsmc (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il nitruro di gallio e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati.
Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando tecnologia di processo all’avanguardia di Tsmc.
I vantaggi del nitruro di gallio
Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio, che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza. Le caratteristiche ne fanno un materiale ideale per l’adozione su larga scala in applicazioni in evoluzione come quelle dei settori automotive, industriale, delle telecomunicazioni e altre applicazioni specifiche del mercato dell’elettronica di consumo, sia nei cluster a 100 V sia in quelli a 650 V.
In particolare, i prodotti di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN permetteranno a ST di fornire soluzioni per applicazioni a potenza medio-alta con caratteristiche di efficienza superiori rispetto alle tecnologie a base silicio nelle stesse tipologie, inclusi i convertitori per automobili e i caricatori per veicoli ibridi ed elettrici.
I mega trend dell’elettrificazione
Le tecnologie di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN contribuiranno ad accelerare i megatrend dell’elettrificazione dei veicoli privati e commerciali.
Marco Monti, presidente del Gruppo Automotive e Discrete di STMicroelectronics, commenta: “Questa collaborazione completa le nostre attività già in essere sul nitruro di gallio nel nostro sito di Tours, in Francia, e con il centro di ricerca Leti del Cea”.
