Farnell ha annunciato l’aggiunta di oltre 250 nuovi prodotti Toshiba al proprio stock disponibile, tra cui una nuova gamma di MOSFET di potenza a canale N. I nuovi prodotti aggiunti copriranno sia l’alta tensione, circa 600V-650V, sia la bassa tensione, 30V-150V.
Ibtissame Krumm, Senior Supplier Account Manager di Farnell, ha dichiarato: “Il mercato globale dei semiconduttori di potenza è in rapida espansione. Sebbene la domanda di semiconduttori di potenza per le applicazioni automobilistiche sia da tempo una notizia da prima pagina, mette in ombra il fatto che esistono numerose altre applicazioni in cui la domanda sta crescendo altrettanto rapidamente, se non di più e il motore della maggior parte di queste ultime è il MOSFET di potenza”.
I clienti Farnell impegnati nello sviluppo di nuovi prodotti hanno bisogno di un accesso facile e rapido a questi componenti critici per progettare, testare, valutare, prototipare e lanciare nuovi concetti. La partnership di Farnell con Toshiba, insieme alle capacità del nuovo impianto di produzione di wafer da 300 millimetri di Toshiba per i semiconduttori di potenza, garantirà che entrambe le aziende siano in grado di sostenere la crescita esponenziale della domanda di MOSFET di alta qualità e di molti altri prodotti a semiconduttore.
I nuovi MOSFET disponibili da Farnell
- TPH3R10AQM Power MOSFET: Basato sul processo U-MOS-X, questo dispositivo offre una migliore resistenza all’accensione e un’area operativa sicura. Il dispositivo è ideale per le applicazioni più complesse, come gli alimentatori switching nei data center, le stazioni base di comunicazione e molti altri usi industriali.
- Serie DTMOSVI: Il TK055U60Z1 è il primo prodotto della serie DTMOSVI da 600V, basata sul processo di ultima generazione di Toshiba che presenta una struttura a supergiunzione, riconosciuta come l’ultima svolta per i MOSFET di potenza. Il nuovo MOSFET presenta una RDS(on) di soli 55 mΩ, che rappresenta un miglioramento del 13% rispetto ai dispositivi simili della serie DTMOSIV-H di Toshiba.
- TPH9R00CQ5 Power MOSFET: Basato sul processo U-MOS X-H Trench, questo nuovo MOSFET di potenza è utile negli alimentatori switching ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nelle stazioni base di comunicazione e in altre applicazioni industriali. Nelle soluzioni di potenza ad alte prestazioni che utilizzano il raddrizzamento sincrono, le prestazioni di recupero inverso sono importanti. Il nuovo TPH9R00CQ5 include un diodo di corpo ad alta velocità che riduce la carica di recupero inversa (Qrr) di circa il 74% (a 34nC tipici) rispetto a un dispositivo esistente come il TPH9R00CQH.
- MOSFET di potenza XPQR3004PB: Questo nuovo dispositivo sfrutta le avanzate capacità di dissipazione del calore per supportare correnti automobilistiche più elevate. Il dispositivo da 40V offre capacità di corrente elevate e valori di resistenza di accensione inferiori in pacchetti L-TOGLTM termicamente migliorati.
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