STMicroelectronics costruirà un impianto integrato di produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia per supportare la crescente domanda di ST clienti per dispositivi SiC in applicazioni automobilistiche e industriali, mentre passano all’elettrificazione e cercano una maggiore efficienza.
L’impianto avrà sede presso la sede della ST di Catania, insieme all’impianto di produzione di dispositivi SiC esistente, e sarà il primo in Europa per la produzione in volume di substrati epitassiali SiC da 150 mm, integrando tutte le fasi del flusso di produzione. L’azienda si impegna anche a sviluppare wafer da 200 mm nel prossimo futuro. La produzione dovrebbe iniziare nel 2023.
Il progetto rappresenta un passo fondamentale per far progredire la strategia di integrazione verticale di ST per la sua attività SiC. L’investimento di 730 milioni di euro in cinque anni sarà sostenuto finanziariamente dallo Stato italiano nell’ambito del Piano nazionale per la ripresa e la resilienza e creerà circa 700 posti di lavoro aggiuntivi diretti a pieno sviluppo.
“Stiamo espandendo le nostre operazioni a Catania, il centro delle nostre competenze sui semiconduttori di potenza, dove abbiamo già integrato ricerca, sviluppo e produzione di SiC con una forte collaborazione con enti di ricerca, università e fornitori italiani”, ha affermato Jean-Marc Chery, presidente e Ceo di STMicroelectronics. “Questa nuova struttura sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale in SiC, rafforzando la nostra fornitura di substrati in carburo di silicio mentre aumentiamo ulteriormente i volumi per supportare i nostri clienti automobilistici e industriali nel loro passaggio all’elettrificazione e a una maggiore efficienza”.
STMicroelectronics e l’elettronica di potenza
La leadership di ST in SiC è il risultato di 25 anni di attenzione e impegno nella ricerca e sviluppo con un ampio portafoglio di brevetti chiave. Catania è da tempo un importante sito di innovazione per ST in quanto sede delle più grandi attività di ricerca e sviluppo e produzione di SiC, contribuendo con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per la produzione di dispositivi SiC sempre migliori. Con un ecosistema consolidato sull’elettronica di potenza, inclusa una collaborazione di successo a lungo termine tra ST e diversi stakeholder (l’Università, il CNR – Consiglio Nazionale delle Ricerche-, aziende coinvolte nella produzione di apparecchiature e prodotti), nonché una vasta rete dei fornitori, questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale per la tecnologia al carburo di silicio e per ulteriori opportunità di crescita.
I prodotti STPOWER SiC all’avanguardia e ad alto volume sono attualmente prodotti nelle sue fabbriche di Catania e Ang Mo Kio (Singapore). L’assemblaggio e il test vengono eseguiti presso i siti di back-end a Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco). L’investimento in questo impianto di produzione è una pietra miliare significativa nel percorso di ST verso il raggiungimento del 40% di approvvigionamento interno di substrati entro il 2024.
Potrebbe interessarti anche:
