Il General Manager di Innoscience Technology, Denis Marcon, terrà una presentazione alla conferenza International Semiconductor Executive Summit EU (ISES EU) Power intitolata: “Mass manufacturing 8-inch GaN-on-Si power devices: the next generation of power switching technology”.
In programma il 14 e 15 settembre 2023 al Regina Palace Hotel di Stresa, sul Lago Maggiore, la conferenza riunirà rappresentanti della politica, delle imprese, della finanza, della ricerca, leader di settore e figure decisionali con l’obiettivo di sostenere la crescita dell’industria dei semiconduttori. Nel suo intervento in programma venerdì 15 settembre, dalle 9.40 alle 10.00, Marcon sfaterà “molti miti” che ammantano i dispositivi di potenza GaN e che hanno dissuaso molte aziende dall’adottare questa tecnologia.
Innoscience è un produttore di dispositivi integrati (Integrated Device Manufacturer, IDM) fondato nel dicembre 2015 con il contributo di importanti investitori internazionali. Nel novembre 2017 l’azienda ha creato la prima linea di produzione in volumi di wafer da 8 pollici per dispositivi al GaN-on-Si e nel settembre 2020 ha inaugurato una nuova struttura.
Falsi miti sul GaN
“Il GaN è costoso, è di dubbia affidabilità”. Nella sua presentazione, Marcon distruggerà queste convinzioni dimostrando le prestazioni e l’affidabilità dei dispositivi di potenza al nitruro di gallio di Innoscience e mostrando come, sfruttando le economie di scala offerte dalle due fabbriche ad alta capacità dell’azienda, totalmente dedicate alla produzione di wafer GaN-on-Si da 8 pollici (ciascuno dei quali offre un numero di dispositivi per wafer all’incirca doppio rispetto ai processi da 6 pollici), sia ora possibile fornire dispositivi di potenza GaN a prezzi competitivi.
Concluderà infine la presentazione mostrando come sfruttare i vantaggi dei dispositivi di potenza GaN di Innoscience, sia discreti (InnoGaN™) sia integrati (SolidGaN™), per migliorare le prestazioni dei trasformatori di potenza. Come dichiara Marcon: “I dispositivi di potenza GaN stanno rivoluzionando il settore dei semiconduttori di potenza rendendo i sistemi per la trasformazione di potenza (AC/DC, DC/DC ecc.) più compatti, più efficienti, più semplici e, quindi, meno costosi rispetto a quelli realizzati con tradizionali dispositivi di potenza al silicio. A oggi, Innoscience, il più grande produttore di wafer da 8 pollici per dispositivi di potenza GaN-on-Si, ha consegnato oltre 300 milioni di dispositivi che vengono impiegati con successo in numerose applicazioni, portando notevoli benefici ai clienti”.
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