Toshiba: nuovi Mosfet nel segno di una migliore efficienza

Nei nuovi Mosfet di Toshiba Electronics Europe le nuove aggiunte migliorano le caratteristiche di recupero inverso, fondamentali per le applicazioni di raddrizzamento sincrono. I prodotti sono pensati per gli alimentatori a commutazioni ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nei data center e nelle stazioni base di comunicazione, nonché in altre applicazioni industriali

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Toshiba Electronics Europe  ha lanciato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 150 V basato sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione. I dispositivi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono progettati specificamente per l’utilizzo negli alimentatori a commutazioni ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nei data center e nelle stazioni base di comunicazione, nonché in altre applicazioni industriali.

Con una tensione massima al drain-source (VDSS) di 150 V e una corrente di drain (ID) supportata di 49 A (TPH1100CQ5) e 32 A (TPH1400CQ5), i nuovi dispositivi sono dotati di una resistenza massima di drain-source in conduzione (RDS(ON)) rispettivamente di 11 mΩ e 14 mΩ.

Migliori caratteristiche di recupero inverso

I nuovi prodotti offrono caratteristiche di recupero inverso migliorate che sono fondamentali nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. Nel caso di TPH1400CQ5, la carica di recupero inverso (Qrr) è ridotta di circa il 73 % a 27 nC (tipico) e il tempo di recupero inverso (trr) di 36 ns (tipico) è circa il 45 % più veloce rispetto a quello dell’attuale TPH1400CQH di Toshiba, che offre gli stessi valori di tensione e di RDS(ON). Utilizzato in applicazioni di raddrizzamento sincrono, il TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza degli alimentatori a commutazione e contribuisce a migliorare l’efficienza. Se il dispositivo viene utilizzato in un circuito che non funziona in modalità di ripristino inverso, la perdita di potenza è equivalente a quella del TPH1400CQH.

Se utilizzati in un circuito che funziona in modalità di recupero inverso, i nuovi prodotti riducono le tensioni di picco generate durante la commutazione, contribuendo a migliorare le caratteristiche EMI dei progetti e riducendo la necessità di filtraggio esterno. I dispositivi sono alloggiati in un package SOP Advance(N) versatile a montaggio superficiale che misura appena 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.

Per supportare i progettisti, Toshiba ha sviluppato un modello G0 SPICE per una rapida verifica delle funzioni del circuito, oltre ai modelli G2 SPICE altamente accurati, che riproducono in modo accurato le caratteristiche in transitorio.


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